一般說明

該功率 MOSFET 采用 Maple semi 先進(jìn)的超級結(jié) MOSFET 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制

更大限度地降低通態(tài)電阻，提供卓越的開關(guān)

性能，并承受高能量脈沖

雪崩和換向模式。 這些器件非常適合高效率開關(guān)模式電源。

特征

- 50A, 600V, RDS(on)Typ =53mΩ@VGS = 10 V

- 低柵極電荷（典型值 Qg =75nC）

- 高耐用性超

- 快速切換

-  雪崩測試

- 改進(jìn)的 dv/dt 能力