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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2103S 兼容可替代EG3113

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2103S.pdf一般說明SLM2103S 是一款高壓、高速電源具有相關(guān)高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 邏...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代AG2106

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2101S.pdf一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 ...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代FD2501

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2101S.pdf一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 ...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代DGD2101M

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2101S.pdf一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 ...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代FD2606S

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2101S.pdf一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 ...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代IRS2101

    一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 邏輯輸入兼容標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 LSTTL 輸出,低至 ...…

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  • 042023-04
    數(shù)明SLM2101S 兼容可替代FAN7382

    技術(shù)資料下載:Sillumin-SLM2101S.pdf一般說明SLM2101S 是一款高電壓、高速電源具有獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道的 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器。專有的 HVIC 和鎖存免疫 CMOS技術(shù)使堅(jiān)固耐用的單片建造。 ...…

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  • 042023-04
    先楫半導(dǎo)體重磅推出HPM6300系列—— 高性能,低功耗,高性價(jià)比

    “先楫的HPM6700系列在今年1月份量產(chǎn)之后,在市場(chǎng)上得到了廣泛的認(rèn)可,已經(jīng)批量出貨。HPM6300延承了HPM6700高性能的特點(diǎn),在成本,功耗,DSP等各個(gè)方面做了進(jìn)一步的優(yōu)化,并推出了QFP封裝,進(jìn)一步擴(kuò)大先楫MCU產(chǎn)品在市場(chǎng)上的覆...…

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  • 042023-04
    同步整流電路有哪些特點(diǎn)?

    在開關(guān)電源電路中,同步整流電路采用MOSFET,取代傳統(tǒng)的二極管以降低整流損耗,在效率上大幅度的提高。對(duì)此,同步整流電路工作原理是什么,它具有哪些優(yōu)點(diǎn)?由于同步整流是由可控的三端半導(dǎo)體開關(guān)器件來實(shí)現(xiàn)的,因此必須要有符合一定時(shí)序關(guān)系的門極驅(qū)動(dòng)...…

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  • 042023-04
    5個(gè)點(diǎn)分析MOS管整體內(nèi)容

    MOS管驅(qū)動(dòng)電路在設(shè)計(jì)開關(guān)電源或馬達(dá)時(shí),大多數(shù)情況下,考慮的是導(dǎo)通電阻、更大電流以及電壓,而實(shí)際上,這只是其中一部分因素,對(duì)于MOS管還有其他方面可以了解的內(nèi)容。下面就和大家具體講一下,關(guān)于這方面的內(nèi)容,從整個(gè)結(jié)構(gòu)方面去分析MOS管。1、m...…

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