MOS管一般不需要電流，只要一個(gè)GS電壓高于一定的峰值就夠了，在MOS管的結構中，可以了解到在GS和GD間存在電容，而驅動(dòng)就是對電容的放電。而驅動(dòng)電壓更大值是多少，大概在什么范圍內？

過(guò)驅動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth?？蒪ai以理解為：du超過(guò)驅動(dòng)門(mén)限（Vth）的剩余電壓大小。

1)只有在你的過(guò)驅動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì )形成，MOS管才會(huì )工作。也就是說(shuō)，能夠使用過(guò)驅動(dòng)電壓來(lái)判斷晶體管是否導通。

2）溝道電荷多少直接與過(guò)驅動(dòng)電壓二次方成正比。也就是說(shuō)，能夠使用過(guò)驅動(dòng)電壓來(lái)計算飽和區的電流。

3）如果能夠更加深入理解的話(huà)，可以領(lǐng)悟到過(guò)驅動(dòng)電壓不單單適用于指代Vgs，也適用于指代Vgd。

Vod1=Vgs-Vth；

Vod2=Vds-Vth；

如果兩種Vod都大于零，說(shuō)明晶體管溝道全開(kāi)，也就是處于線(xiàn)性區。只有一種Vod大于零，說(shuō)明晶體管溝道半開(kāi)（在DS任意一端沒(méi)打開(kāi)有夾斷），也就是處于飽和區。MOS管驅動(dòng)電壓閾值電壓受襯偏bai效應的影響，即襯底偏置電位，du零點(diǎn)五微米工藝zhi水平下一階mos spice模型的標準dao閾值電壓為nmos0.7v pmos負 0.8，過(guò)驅動(dòng)電壓為Vgs減Vth。

MOS管，當器件由耗盡向反型轉變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數之一 。

MOS管的閾值電壓等于背柵和源極接在一起時(shí)形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小于閾值電壓，就沒(méi)有溝道。 

在運行過(guò)程中，要了解MOS管驅動(dòng)電壓的更大值，這樣就能從中推斷出相應的原理，尤其在數據上更能夠體現的明顯。